在數(shù)字經(jīng)濟(jì)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，AI大模型訓(xùn)練、海量數(shù)據(jù)傳輸?shù)刃枨笳钥涨八俣韧苿?dòng)信息基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)。作為數(shù)據(jù)通信的核心組件，光模塊及其承載載體PCB板的技術(shù)演進(jìn)，成為支撐算力時(shí)代高效運(yùn)轉(zhuǎn)的關(guān)鍵。從傳統(tǒng)電信號(hào)傳輸?shù)钠款i突破到光電協(xié)同的創(chuàng)新封裝，光模塊與PCB板的技術(shù)迭代始終圍繞“更高帶寬、更低功耗、更小尺寸”的核心目標(biāo)展開(kāi)。

    光模塊：需求驅(qū)動(dòng)下的技術(shù)爆發(fā)
    光模塊的快速發(fā)展源于人類(lèi)對(duì)數(shù)據(jù)傳輸效率的極致訴求。隨著AI計(jì)算中心對(duì)并行數(shù)據(jù)處理能力的需求激增，網(wǎng)絡(luò)帶寬成為制約算力釋放的關(guān)鍵因素，這直接推動(dòng)光模塊技術(shù)加速迭代。當(dāng)前，以CPO、LPO、硅光技術(shù)為代表的創(chuàng)新方案正重塑行業(yè)生態(tài)。
    CPO（光電共封裝）技術(shù)通過(guò)將光引擎與交換芯片集成封裝，大幅縮短信號(hào)傳輸路徑，在降低功耗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高密度互聯(lián)，成為超高速率場(chǎng)景的優(yōu)選方案。LPO（線(xiàn)性驅(qū)動(dòng)可插拔模塊）則憑借線(xiàn)性直驅(qū)技術(shù)替代傳統(tǒng)DSP，在短距離傳輸中展現(xiàn)出低時(shí)延、低成本優(yōu)勢(shì)，可有效適配AI計(jì)算中心的部署需求。硅光技術(shù)融合CMOS工藝的大規(guī)模集成能力與光子技術(shù)的高速特性，盡管目前在性能與成本上仍面臨挑戰(zhàn)，但其在功耗控制方面的潛力使其成為未來(lái)主流技術(shù)的有力候選。
    此外，薄膜鈮酸鋰技術(shù)通過(guò)亞微米尺度光波導(dǎo)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)超高電光帶寬與超低損耗，為高速光互連提供新路徑；相干下沉技術(shù)針對(duì)1.6T以上速率需求，探索出適合數(shù)據(jù)中心內(nèi)部短距傳輸?shù)?ldquo;相干精簡(jiǎn)版”方案。這些技術(shù)的并行發(fā)展，共同構(gòu)建起光模塊從百G到T級(jí)乃至更高速率的演進(jìn)藍(lán)圖。

    光模塊的核心構(gòu)成：多組件協(xié)同的精密系統(tǒng)
    光模塊的核心功能在于實(shí)現(xiàn)電信號(hào)與光信號(hào)的雙向轉(zhuǎn)換，其構(gòu)成體現(xiàn)精密制造與光電集成的高度融合。一個(gè)完整的光模塊主要由四大關(guān)鍵部分組成：PCBA（印刷電路板組件）、TOSA（光發(fā)射次模塊）、ROSA（光接收次模塊）及外殼。
    TOSA作為光發(fā)射核心，負(fù)責(zé)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，其性能直接決定信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性；ROSA承擔(dān)光信號(hào)到電信號(hào)的逆向轉(zhuǎn)換，對(duì)接收靈敏度有著極高要求；PCBA作為連接核心，不僅需要承載各類(lèi)芯片與器件，更要保障高速信號(hào)的無(wú)失真?zhèn)鬏斝阅?；外殼則在防護(hù)、散熱等方面發(fā)揮重要作用。四大組件的協(xié)同工作，使光模塊能夠在光纖通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)交互。

    光模塊PCB板：技術(shù)要求與工藝突破
    作為光模塊的“神經(jīng)中樞”，PCB板的技術(shù)水平直接制約光模塊性能的發(fā)揮。隨著傳輸速率邁向400G、800G乃至更高，PCB板在材料選擇、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝精度上面臨多重技術(shù)挑戰(zhàn)。
    在傳輸性能方面，高速信號(hào)對(duì)PCB的介電常數(shù)（DK）和損耗因子（Df）提出嚴(yán)苛要求，低DK、低Df材料成為優(yōu)先選型，以減少信號(hào)衰減與延遲。阻抗控制精度從傳統(tǒng)的±10%提升至±7%甚至±5%，線(xiàn)路線(xiàn)寬/線(xiàn)距已突破至30/30μm，公差控制在±10μm以?xún)?nèi)，這些參數(shù)的提升為高速信號(hào)傳輸提供基礎(chǔ)支撐。
    散熱設(shè)計(jì)構(gòu)成另一重要技術(shù)難題。隨著光模塊功率密度的增加，埋銅塊、加厚銅、盲槽等工藝被廣泛應(yīng)用，其中埋銅塊的平整度需控制在0~-10μm范圍內(nèi)，確保散熱效率的同時(shí)避免對(duì)其他組件造成影響。塞銅漿/銀漿、鐳射孔填孔等工藝進(jìn)一步強(qiáng)化熱傳導(dǎo)路徑，有效緩解高溫帶來(lái)的可靠性風(fēng)險(xiǎn)。
    在接口可靠性上，金手指作為光模塊的關(guān)鍵連接組件，需滿(mǎn)足耐插拔要求（≥500次）、耐腐蝕要求（通過(guò)MFG測(cè)試等），其外觀(guān)不允許出現(xiàn)漏鎳、劃傷等缺陷，尺寸公差控制在±0.05mm以?xún)?nèi)。熱插拔設(shè)計(jì)中，分段式金手指的布局保障了帶電操作的安全性。
    高密度集成需求推動(dòng)PCB制造工藝革新。HDI（高密度互聯(lián)）技術(shù)、任意層互連、多次壓合等工藝的應(yīng)用，使有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)多通道布線(xiàn)成為可能。盲埋孔、盤(pán)中孔等設(shè)計(jì)減少信號(hào)傳輸路徑，而引線(xiàn)鍵合工藝中，90/90μm焊盤(pán)的尺寸公差需控制在±15μm，打線(xiàn)拉力≥5g，確保芯片與PCB之間的穩(wěn)定連接。

    技術(shù)融合驅(qū)動(dòng)未來(lái)發(fā)展
    光模塊與PCB板的技術(shù)演進(jìn)，本質(zhì)上是算力需求與工程實(shí)踐的協(xié)同創(chuàng)新。從CPO的共封裝到硅光技術(shù)的規(guī)?；瘧?yīng)用，從液冷散熱到高密度布線(xiàn)，每一項(xiàng)突破都在推動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸向更高速、更穩(wěn)定、更高效的方向演進(jìn)。未來(lái)，隨著3.2T乃至更高速率需求的到來(lái)，光模塊與PCB板將在材料科學(xué)、精密制造、系統(tǒng)集成等領(lǐng)域持續(xù)突破，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的蓬勃發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的硬件基石。